Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Beschreibung:	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
FET-Typ	P-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	+10V, -20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	22.2mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.)	41W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	DPAK+
Gate Charge (Qg) (Max.)	37nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1850pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V