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SSM6N39TU,LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: SSM6N39TU,LF
Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 119mOhm @ 1A, 4V
Lieferanten-Gerätepaket UF6
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.5nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 260pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.6A (Ta)

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