Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
SSM6L09FUTE85LF
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | SSM6L09FUTE85LF |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 700mOhm @ 200MA, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | US6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 20pF @ 5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 400mA, 200mA |
Auf Lager 6162 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.56 | $0.55 | $0.54 |
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