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SSM6J216FE,LF

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	SSM6J216FE,LF
Beschreibung:	MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
FET-Typ	P-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Betriebstemperatur	150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs	32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (Max.)	700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	ES6
Gate Charge (Qg) (Max.)	12.7nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1040pF @ 12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V