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SSM3K318T,LF

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	SSM3K318T,LF
Beschreibung:	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSIV
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Discontinued at Digi-Key
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	107mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.)	700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	TSM
Gate Charge (Qg) (Max.)	7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	235pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V