Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SSM3J306T(TE85L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3J306T(TE85L,F)
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 117mOhm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSM
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.5nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 280pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

Auf Lager 929 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

RZF020P01TL
ROHM Semiconductor
$0
PMT560ENEAX
Nexperia USA Inc.
$0
CSD25501F3
Texas Instruments
$0
DMP45H150DHE-13
Diodes Incorporated
$0
PSMN020-30MLCX
Nexperia USA Inc.
$0
RQ6E035ATTCR
ROHM Semiconductor
$0