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SSM3J14TTE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SSM3J14TTE85LF
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSII
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 1.35A, 10V
Verlustleistung (Max.) 700mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TSM
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 413pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

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