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MT3S20P(TE12L,F)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: MT3S20P(TE12L,F)
Beschreibung: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 16.5dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.8W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 7GHz
Lieferanten-Gerätepaket PW-MINI
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.45dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 610 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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