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2SK2009TE85LF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2SK2009TE85LF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Verlustleistung (Max.) 200mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SC-59-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 70pF @ 3V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V

Auf Lager 250 pcs

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