Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
CSD25213W10
| Hersteller: | Texas Instruments |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | CSD25213W10 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Texas Instruments |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | -6V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-UFBGA, DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (Max.) | 1W (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 4-DSBGA (1x1) |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 2.9nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 478pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Auf Lager 19925 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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