Hersteller: | Texas Instruments |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | CSD19505KTT |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Texas Instruments |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 300W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DDPAK/TO-263-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 76nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7920pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.08 | $2.04 | $2.00 |