Hersteller: | Texas Instruments |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | CSD18512Q5BT |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Texas Instruments |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 139W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-VSON-CLIP (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 98nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7120pF @ 20V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 211A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.10 | $1.08 | $1.06 |