Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TSM10N80CZ C0G

Hersteller:	Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TSM10N80CZ C0G
Beschreibung:	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Verlustleistung (Max.)	48W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.)	53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2336pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V