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SFT18GHA1G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: SFT18GHA1G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Box (TB)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall T-18, Axial
Kapazität - Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket TS-1
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.7V @ 1A

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