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STP13N65M2

Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	STP13N65M2
Beschreibung:	MOSFET N-CH 650V 10A TO220
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	STMicroelectronics
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ M2
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Basis-Teilenummer	STP13N
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	430mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.)	17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	590pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V