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STGB4M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGB4M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 15.2nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 68W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGB4
Schalten der Energie 40µJ (on), 136µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 12ns/86ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Reverse Recovery Time (trr) 133ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 16A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

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