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RJM0603JSC-00#12
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | RJM0603JSC-00#12 |
| Beschreibung: | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Verpackung | Tray |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 54W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 20-HSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 43nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2600pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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