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SCT2280KEC

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SCT2280KEC
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +22V, -6V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 364mOhm @ 4A, 18V
Verlustleistung (Max.) 108W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 36nC @ 18V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 667pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V

Auf Lager 1772 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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