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RHP020N06T100

Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	RHP020N06T100
Beschreibung:	MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	ROHM Semiconductor
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-243AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	200mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.)	500mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	MPT3
Gate Charge (Qg) (Max.)	14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	140pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V