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R6012JNXC7G

Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	R6012JNXC7G
Beschreibung:	NCH 600V 12A POWER MOSFET. R601
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	ROHM Semiconductor
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-2 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 2.5mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	390mOhm @ 6A, 15V
Verlustleistung (Max.)	60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.)	28nC @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	900pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V