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QS8M12TCR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: QS8M12TCR
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Basis-Teilenummer *M12
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 42mOhm @ 4A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket TSMT8
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.4nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 250pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A

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