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EMH1FHAT2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMH1FHAT2R
Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 22kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 22kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 56 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) -

Auf Lager 7744 pcs

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