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EMF5T2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMF5T2R
Beschreibung: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Basis-Teilenummer *MF5
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 12V

Auf Lager 8201 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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