Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

SMMUN2211LT3G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: SMMUN2211LT3G
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 246mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 35 @ 5mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 10857 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

RN2315TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DDTD133HC-7-F
Diodes Incorporated
$0
DTD114ECT116
ROHM Semiconductor
$0
DTD123ECT116
ROHM Semiconductor
$0
DTB123YCT116
ROHM Semiconductor
$0
MT3S111TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0