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NVHL080N120SC1

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NVHL080N120SC1
Beschreibung: SIC MOS TO247-3L 80MW 120
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) +25V, -15V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
Verlustleistung (Max.) 348W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 56nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1670pF @ 800V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V

Auf Lager 178 pcs

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