Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

NGTB25N120FL2WAG

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTB25N120FL2WAG
Beschreibung: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 181nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 385W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Testbedingung 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 990µJ (on), 660µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 17ns/113ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-4L
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr) 136ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 100A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

RJH65T14DPQ-A0#T0
Renesas Electronics America
$0
RJH65T04BDPMA0#T2F
Renesas Electronics America
$0
RJH65D27BDPQ-A0#T2
Renesas Electronics America
$0
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America
$0
IRGS4062DTRLPBF
Infineon Technologies
$0
IRGP4263D1-EPBF
Infineon Technologies
$0