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FQI7N60TU

Hersteller:	ON Semiconductor
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	FQI7N60TU
Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	ON Semiconductor
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	QFET®
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1Ohm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (Max.)	3.13W (Ta), 142W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max.)	38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1430pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V