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FJA3835TU

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: FJA3835TU
Beschreibung: TRANS NPN 120V 8A TO-3P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 80W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 30MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 3A, 4V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

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