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FDMD85100
| Hersteller: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | FDMD85100 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 100V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 2.2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-Power 5x6 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 31nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2230pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.4A |
Auf Lager 2910 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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