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FDFMA2P029Z-F106

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FDFMA2P029Z-F106
Beschreibung: -20V -3.1A 95 O PCH ER T
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.4W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 6-MicroFET (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 720pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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