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FCP170N60

Hersteller:	ON Semiconductor
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	FCP170N60
Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 22A TO220
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	ON Semiconductor
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	SuperFET® II
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	170mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.)	227W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.)	55nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2860pF @ 380V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V