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FCB199N65S3

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FCB199N65S3
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET® III
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 199mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 98W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1225pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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