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EMZ1DXV6T1G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: EMZ1DXV6T1G
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer EMZ1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz, 140MHz
Lieferanten-Gerätepaket SOT-563
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

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