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BD810G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: BD810G
Beschreibung: TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 90W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 1.5MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 1.1V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 15 @ 4A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 483 pcs

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