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2N6517RLRA

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N6517RLRA
Beschreibung: TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 625mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer 2N6517
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 200MHz
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20 @ 50mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

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