Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PMXB65UPEZ |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 72mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Verlustleistung (Max.) | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DFN1010D-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 12nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 634pF @ 6V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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