Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
A2G35S200-01SR3
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | A2G35S200-01SR3 |
| Beschreibung: | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 16.1dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Teilstatus | Active |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 291mA |
| Paket / Fall | NI-400S-2S |
| Leistung - Ausgang | 180W |
| Spannung - Test | 48V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 125V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | NI-400S-2S |
Auf Lager 246 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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