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UTV8100B

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: UTV8100B
Beschreibung: RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 8.5dB ~ 9.5dB
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 290W
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall 55RT
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz
Lieferanten-Gerätepaket 55RT
Rauschfigur (dB-Typ f) -
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 15A
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 20 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

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