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SG2003J-883B

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: SG2003J-883B
Beschreibung: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max -
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
Transistortyp 7 NPN Darlington
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket 16-CDIP
Vce Sättigung (Max.) 1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 350mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

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