Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MV2N5116
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - JFETs |
| Datenblatt: | MV2N5116 |
| Beschreibung: | P CHANNEL JFET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - JFETs |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 500mW |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Widerstand - RDS(On) | 100 Ohms |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-18 (TO-206AA) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Spannung - Aufschlüsselung (V(BR)GSS) | 30V |
| Spannung - Cutoff (VGS aus) | 6V @ 1nA |
| Strom - Abfluss (Idss) - Vds (Vgs=0) | 25mA @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 27pF @ 15V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Schnäppchen-Funde
