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JANTXV2N3501L

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JANTXV2N3501L
Beschreibung: TRANS NPN 150V 0.3A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/366
Verpackung Bulk
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-5
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 300mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 150V

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JANTXV2N2906AUB
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