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JANTXV2N3439L

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JANTXV2N3439L
Beschreibung: TRANS NPN 350V 1A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/368
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-5
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 4mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 20mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

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