Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
JANTXV1N5809US
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | JANTXV1N5809US |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Kapazität - Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | B, SQ-MELF |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 100V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 3A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 875mV @ 4A |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.29 | $13.02 | $12.76 |
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