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JAN1N5619US

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: JAN1N5619US
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Military, MIL-PRF-19500/429
Verpackung Bulk
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, A
Kapazität - Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket D-5A
Reverse Recovery Time (trr) 250ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 500nA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.6V @ 3A

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