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APTM120U10SCAVG

Hersteller:	Microsemi Corporation
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	APTM120U10SCAVG
Beschreibung:	MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Microsemi Corporation
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	POWER MOS 7®
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Bulk
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Chassis Mount
Paket / Fall	SP6
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 20mA
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	120mOhm @ 58A, 10V
Verlustleistung (Max.)	3290W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	SP6
Gate Charge (Qg) (Max.)	1100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	28900pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V