Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
APTGV50H120T3G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | APTGV50H120T3G |
| Beschreibung: | IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 270W |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | SP3 |
| Betriebstemperatur | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | SP3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 75A |
| Eingangskapazität (Cies) | 3.6nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Schnäppchen-Funde
