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APTGTQ100DDA65T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APTGTQ100DDA65T3G
Beschreibung: POWER MODULE - IGBT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ -
Teilstatus Active
Leistung - Max 250W
Konfiguration Dual Boost Chopper
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket SP3F
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100A
Eingangskapazität (Cies) 6nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

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