Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
APTGT75H60T2G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | APTGT75H60T2G |
| Beschreibung: | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 250W |
| Konfiguration | Full Bridge Inverter |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | SP2 |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | SP2 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 75A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
| Eingangskapazität (Cies) | 4.62nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $50.67 | $49.66 | $48.66 |
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