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APTGT300A60D3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APTGT300A60D3G
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 940W
Konfiguration Half Bridge
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor No
Paket / Fall D-3 Module
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket D3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 400A
Eingangskapazität (Cies) 18.5nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

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