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APTGT25X120T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Modules
Datenblatt: APTGT25X120T3G
Beschreibung: IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Modules
Eingabe Standard
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Teilstatus Active
Leistung - Max 156W
Konfiguration Three Phase Inverter
Montagetyp Chassis Mount
NTC-Thermistor Yes
Paket / Fall SP3
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket SP3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Eingangskapazität (Cies) 1.8nF @ 25V
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

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